Наука - Новосибирские учёные создали гибкие элементы памяти из наноматериалов - Вести Новосибирск

Новосибирские учёные создали гибкие элементы памяти из наноматериалов

14 ноября 2019, 13:11
Устройства памяти на основе новой разработки будут намного лучше, чем распространённые сейчас устройства флеш-памяти, к тому же изобретение обладает повышенной гибкостью и очень просты в изготовлении
Новосибирские учёные создали гибкие элементы памяти из наноматериалов
Гибкие элементы памяти создают на основе нового материала для мемристоров - микроэлектронных компонентов, изменяющих свое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда. В зависимости от напряжения, проходящего через мемристор, он может считывать или записывать информацию. Время переключения между режимами в 1000 раз меньше, чем у распространенной сейчас флэш-памяти.

Разработка принадлежит учёным Института физики полупроводников СО РАН. Новых элементы памяти печатают на 2D принтере, а основа для них сделана из композитного наноматериала: из наночастиц оксида ванадия покрытых фторированным графеном.

«Наночастицы оксида ванадия — это кристаллогидраты, содержащие молекулы воды (диполи). Под действием внешнего электрического напряжения они ориентируются по линиям поля и в результате возникают внутренние электрические поля между частицами оксида ванадия разделенных барьерами из фторированного графена, и композит переходит в проводящее состояние. Подача напряжения обратной полярности приводит к разориентации диполей, и переключению всей структуры в высокоомное (непроводящее) состояние», — объясняет технологи Артем Иванов, младший научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН.

Результаты исследования учёные опубликовали в международном научном журнале «Advanced electronic materials», сообщает «Наука в Сибири».
фото: «Наука в Сибири».
Подписывайтесь на наш канал в VK, чтобы оперативно получать свежие новости