Гибкие элементы памяти создают на основе нового материала для мемристоров - микроэлектронных компонентов, изменяющих свое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда. В зависимости от напряжения, проходящего через мемристор, он может считывать или записывать информацию. Время переключения между режимами в 1000 раз меньше, чем у распространенной сейчас флэш-памяти.
Разработка принадлежит учёным Института физики полупроводников СО РАН. Новых элементы памяти печатают на 2D принтере, а основа для них сделана из композитного наноматериала: из наночастиц оксида ванадия покрытых фторированным графеном.
«Наночастицы оксида ванадия — это кристаллогидраты, содержащие молекулы воды (диполи). Под действием внешнего электрического напряжения они ориентируются по линиям поля и в результате возникают внутренние электрические поля между частицами оксида ванадия разделенных барьерами из фторированного графена, и композит переходит в проводящее состояние. Подача напряжения обратной полярности приводит к разориентации диполей, и переключению всей структуры в высокоомное (непроводящее) состояние», — объясняет технологи Артем Иванов, младший научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН.
Результаты исследования учёные опубликовали в международном научном журнале «Advanced electronic materials», сообщает «Наука в Сибири».
